Alliance Technology

당사의 러시아 연구소와 제휴 협력하는 그래핀 원소재 제조 업체들은
CVD 공법에 의하여 고품질의 경제성 있는 제품을 대량 생산이 가능합니다.

탄소와 흡착성이 특수원소를 기판에 증착한 후 ,제조된 Substrate 위에 Plasma CVD를 이용해 Graphene을 성장시킵니다.
특수원소의 buffer층 형성 단계와 Graphene 성장 단계는 하나의 chamber 에서 진행이 되며 150도 이하의 낮은 온도에서 합성이 됩니다 .
이때 특수 원소는 Graphene 의 전기적,광학적 특성에 영향을 주지 않으므로 별도의 전사 과정이 불필요합니다 . 이를 통해 공정의
단순화와 낮은 합성 온도로 공정시간 단축과 원가 절감을 이루었으며 양산화가 실현이 되었습니다 .

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